CM150E3Y2-24NF
Artikelnummer CM150E3Y2-24NF
Hersteller Mitsubishi
Beschreibung IGBT Modules
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Technische Information von CM150E3Y2-24NF
Hersteller-Teilenummer CM150E3Y2-24NF Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Mitsubishi Electric Semiconductor Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

CM150E3Y2-24NF

Einführung

IGBT-Modul

Marke und Hersteller

Mitsubishi Electric Semiconductor

Merkmale

Hohe Effizienz, geringer Energieverbrauch, optimiert für Hochspannung Anwendungen

Produktleistung

Ausgezeichnete thermische Leistung, Hochgeschwindigkeits-Schaltung, niedriger Einschaltwiderstand

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 150A, Gate-Emitter-Spannung: ±20V

Abmessungen, Form und Verpackung

Standardmodulverpackung, rechteckige Form, dimensioniert für kompakte Installation

Qualität und Zuverlässigkeit

Nach strengen Qualitätsstandards gefertigt, zuverlässig unter Hochbelastungsbedingungen

Produktvorteile

Energieeffizient, langlebiges und robustes Design

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig in Hochleistungsanwendungen, vorteilhaft in Märkten mit hohem Zuverlässigkeitsbedarf

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-Gate-Treibern

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht internationalen Halbleiterstandards

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für eine lange Betriebslebensdauer, umweltfreundliche Materialien verwendet

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Erneuerbare Energiesysteme, Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge, industrielle Motorantriebe

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